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OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Entwicklungsingenieur *in (d/m/w) Nitrid-Epitaxiedesign & Prozess 04.05.2021 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Regensburg
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Entwicklungsingenieur *in (d/m/w) Nitrid-Epitaxiedesign & Prozess
Regensburg
Aktualität: 04.05.2021

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04.05.2021, OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung
Regensburg
Entwicklungsingenieur *in (d/m/w) Nitrid-Epitaxiedesign & Prozess
Entwicklung neuartiger Epitaxie-Designs mittels GaN-basierten MOCVD-Wachstumsprozessen für (opto)elektronische (µ)LED- oder Laser-Anwendungen Selbständige Planung und Auswertungen von »Designs-of-Experiment«-Versuchen in der Epitaxie-Entwicklung auf Basis bekannter als auch neu zu entwickelnder Charakterisierungsmethoden, z.B. µ-PL, PL, SEM, XRD, AFM, SIMS, etc.- Prozesstransfer der entwickelten Prozesse und ggf. neuer Anlagenplattformen in die Volumensfertigung Intensive Zusammenarbeit mit interdisziplinären, multikulturellen Expertenteams aus Epitaxie, Simulation und Chipprozessierung in der DOE-Erstellung und -Auswertung
Erfolgreich abgeschlossenes Studium (Master, Diplom) der Physik/Chemie, Materialwissenschaften oder eines vergleichbaren technischen/naturwissenschaftlichen Studiengangs bevorzugt mit einschlägiger zusätzlicher Promotion Relevante einschlägige Berufserfahrung in der III-V-Epitaxie-Entwicklung auf dem Niveau eines (Senior-)Experten und/oder eines (Senior)-Projektmanagers, bevorzugt mit Schwerpunkt im (Al)(In)GaN-Materialsystem Fundierte Erfahrung im Bereich der MOCVD-Prozesse mit vertieften Kenntnissen der Einflüsse der Epitaxie-Designs auf die Bauteilperformance sowie deren Charakterisierungsmethoden Kenntnisse der Wechselwirkung zwischen Epitaxie-Design und Chipprozessierung- Leidenschaftlicher Teamspieler gepaart mit Innovationsfähigkeit, Problemlösungsstärke und hoher Verlässlichkeit Sehr gute Englischkenntnisse, Grundkenntnisse in Deutsch

Berufsfeld

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